蔚縣中天電子股份合作公司
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致冷片也叫熱電半導體制冷組件，帕爾貼，制冷片等。
1.Peltier effect（帕爾帖效應）：
帕爾帖效應的論述很簡單——當電流通過熱電偶時，其中一個結(jié)點散發(fā)熱而另一個結(jié)點吸收熱，這個現(xiàn)象由法國物理學家Jean Peltier在1834年發(fā)現(xiàn)。
2.P型半導體
半導體材料的一種形式。P型材料通過增加受主（acceptor）雜質(zhì)來形成，例如在硅上摻雜硼。
3.N型半導體
半導體材料的一種形式， N型材料通過對硅的晶體結(jié)構(gòu)中加入施主雜質(zhì)（摻雜）——比如砷或磷——來得到。
半導體致冷器是由半導體所組成的一種冷卻裝置，於1960左右才出現(xiàn)，然而其理論基礎Peltier effect可追溯到19世紀。
通上電源之後，冷端的熱量被移到熱端，導致冷端溫度降低，熱端溫度升高，這就是著名的Peltier effect 。這現(xiàn)象早期是在1821年，由一位德國科學家Thomas Seeback首先發(fā)現(xiàn)，不過他當時做了錯誤的推論，并沒有領悟到背後真正的科學原理。到了1834年，一位法國表匠，同時也是兼職研究這現(xiàn)象的物理學家 Jean Peltier，才發(fā)現(xiàn)背後真正的原因，這個現(xiàn)象直到近代隨著半導體的發(fā)展才有了實際的應用，也就是[半導體致冷器]的發(fā)明。
半導體熱電偶由N型半導體和P型半導體組成。N型材料有多余的電子，有負溫差電勢。P型材料電子不足，有正溫差電勢；當電流從N型穿過結(jié)點至P型時，結(jié)點的溫度降低，其能量必然增加，而且增加的能量相當于結(jié)點所消耗的能量。相反，當電流從P型流至N型材料時，結(jié)點的溫度就會升高。
直接接觸的熱電偶電路在實際應用中不可用，實驗證明，在溫差電路中引入第三種材料（銅連接片和導線）不會改變電路的特性。
這樣，半導體元件可以用各種不同的連接方法來滿足使用者的要求。把一個P型半導體元件和一個N型半導體元件聯(lián)結(jié)成一對熱電偶，接上直流電源后，在接頭處就會產(chǎn)生溫差和熱量的轉(zhuǎn)移。
在上面的接頭處，電流方向是從N至P，溫度下降并且吸熱，這就是冷端；而在下面的一個接頭處，電流方向是從P至N，溫度上升并且放熱，因此是熱端。
因此是半導體致冷片由許多N型和P型半導體之顆粒互相排列而成，而N／P之間以一般的導體相連接而成一完整線路，通常是銅、鋁或其他金屬導體，由兩片陶瓷片像夾心餅乾一樣夾起來，陶瓷片必須絕緣且導熱良好。
致冷片也叫熱電半導體制冷組件，帕爾貼，制冷片等。
1.Peltier effect（帕爾帖效應）：
帕爾帖效應的論述很簡單——當電流通過熱電偶時，其中一個結(jié)點散發(fā)熱而另一個結(jié)點吸收熱，這個現(xiàn)象由法國物理學家Jean Peltier在1834年發(fā)現(xiàn)。
2.P型半導體
半導體材料的一種形式。P型材料通過增加受主（acceptor）雜質(zhì)來形成，例如在硅上摻雜硼。
3.N型半導體
半導體材料的一種形式， N型材料通過對硅的晶體結(jié)構(gòu)中加入施主雜質(zhì)（摻雜）——比如砷或磷——來得到。
半導體致冷器是由半導體所組成的一種冷卻裝置，於1960左右才出現(xiàn)，然而其理論基礎Peltier effect可追溯到19世紀。
通上電源之後，冷端的熱量被移到熱端，導致冷端溫度降低，熱端溫度升高，這就是著名的Peltier effect 。這現(xiàn)象早期是在1821年，由一位德國科學家Thomas Seeback首先發(fā)現(xiàn)，不過他當時做了錯誤的推論，并沒有領悟到背後真正的科學原理。到了1834年，一位法國表匠，同時也是兼職研究這現(xiàn)象的物理學家 Jean Peltier，才發(fā)現(xiàn)背後真正的原因，這個現(xiàn)象直到近代隨著半導體的發(fā)展才有了實際的應用，也就是[半導體致冷器]的發(fā)明。
半導體熱電偶由N型半導體和P型半導體組成。N型材料有多余的電子，有負溫差電勢。P型材料電子不足，有正溫差電勢；當電流從N型穿過結(jié)點至P型時，結(jié)點的溫度降低，其能量必然增加，而且增加的能量相當于結(jié)點所消耗的能量。相反，當電流從P型流至N型材料時，結(jié)點的溫度就會升高。
直接接觸的熱電偶電路在實際應用中不可用，實驗證明，在溫差電路中引入第三種材料（銅連接片和導線）不會改變電路的特性。
這樣，半導體元件可以用各種不同的連接方法來滿足使用者的要求。把一個P型半導體元件和一個N型半導體元件聯(lián)結(jié)成一對熱電偶，接上直流電源后，在接頭處就會產(chǎn)生溫差和熱量的轉(zhuǎn)移。
在上面的接頭處，電流方向是從N至P，溫度下降并且吸熱，這就是冷端；而在下面的一個接頭處，電流方向是從P至N，溫度上升并且放熱，因此是熱端。
因此是半導體致冷片由許多N型和P型半導體之顆?；ハ嗯帕卸?，而N／P之間以一般的導體相連接而成一完整線路，通常是銅、鋁或其他金屬導體，由兩片陶瓷片像夾心餅乾一樣夾起來，陶瓷片必須絕緣且導熱良好。
致冷片也叫熱電半導體制冷組件，帕爾貼，制冷片等。
1.Peltier effect（帕爾帖效應）：
帕爾帖效應的論述很簡單——當電流通過熱電偶時，其中一個結(jié)點散發(fā)熱而另一個結(jié)點吸收熱，這個現(xiàn)象由法國物理學家Jean Peltier在1834年發(fā)現(xiàn)。
2.P型半導體
半導體材料的一種形式。P型材料通過增加受主（acceptor）雜質(zhì)來形成，例如在硅上摻雜硼。
3.N型半導體
半導體材料的一種形式， N型材料通過對硅的晶體結(jié)構(gòu)中加入施主雜質(zhì)（摻雜）——比如砷或磷——來得到。
半導體致冷器是由半導體所組成的一種冷卻裝置，於1960左右才出現(xiàn)，然而其理論基礎Peltier effect可追溯到19世紀。
通上電源之後，冷端的熱量被移到熱端，導致冷端溫度降低，熱端溫度升高，這就是著名的Peltier effect 。這現(xiàn)象早期是在1821年，由一位德國科學家Thomas Seeback首先發(fā)現(xiàn)，不過他當時做了錯誤的推論，并沒有領悟到背後真正的科學原理。到了1834年，一位法國表匠，同時也是兼職研究這現(xiàn)象的物理學家 Jean Peltier，才發(fā)現(xiàn)背後真正的原因，這個現(xiàn)象直到近代隨著半導體的發(fā)展才有了實際的應用，也就是[半導體致冷器]的發(fā)明。
半導體熱電偶由N型半導體和P型半導體組成。N型材料有多余的電子，有負溫差電勢。P型材料電子不足，有正溫差電勢；當電流從N型穿過結(jié)點至P型時，結(jié)點的溫度降低，其能量必然增加，而且增加的能量相當于結(jié)點所消耗的能量。相反，當電流從P型流至N型材料時，結(jié)點的溫度就會升高。
直接接觸的熱電偶電路在實際應用中不可用，實驗證明，在溫差電路中引入第三種材料（銅連接片和導線）不會改變電路的特性。
這樣，半導體元件可以用各種不同的連接方法來滿足使用者的要求。把一個P型半導體元件和一個N型半導體元件聯(lián)結(jié)成一對熱電偶，接上直流電源后，在接頭處就會產(chǎn)生溫差和熱量的轉(zhuǎn)移。
在上面的接頭處，電流方向是從N至P，溫度下降并且吸熱，這就是冷端；而在下面的一個接頭處，電流方向是從P至N，溫度上升并且放熱，因此是熱端。
因此是半導體致冷片由許多N型和P型半導體之顆?；ハ嗯帕卸桑鳱／P之間以一般的導體相連接而成一完整線路，通常是銅、鋁或其他金屬導體，由兩片陶瓷片像夾心餅乾一樣夾起來，陶瓷片必須絕緣且導熱良好。